Η Qualcomm devrait introduire un design de dissipateur thermique appelé Bloc de passage de chaleur (HPB) à Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro
Cette technologie serait identique à celle utilisée dans Samsung Exynos 2600, avec une couche thermique spéciale sur le dessus du boîtier de la puce pour accélérer la dissipation de la chaleur de la zone centrale et éviter les goulots d'étranglement des performances causés par la surchauffe.
Compte tenu des efforts récents de Qualcomm pour atteindre des fréquences d'horloge plus élevées, des rumeurs circulent même concernant sa fréquence d'horloge maximale. Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro peut également dépasser 6 GHz.
Outre les améliorations apportées au système de dissipation de la chaleur, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro peut adopter le Emballage double (PoP), en empilant la mémoire directement au-dessus du processeur pour gagner de la place et améliorer les performances.
La nouvelle puce prendra également en charge Mémoire LPDDR6 et LPDDR5X, ainsi que le stockage UFS 5.0 via deux canaux haut débit à haute fréquence. Plus précisément, une nouvelle fuite mentionne des capacités d'affichage multi-écrans, suggérant que les futurs téléphones équipés de cette puce pourraient offrir une prise en charge plus complète des écrans externes et des fonctions de bureau complexes.
N'oubliez pas de le suivre Xiaomi-miui.gr à Google Actualités pour être informé immédiatement de tous nos nouveaux articles ! Vous pouvez aussi si vous utilisez un lecteur RSS, ajouter notre page à votre liste, simplement en suivant ce lien >> https://xiaomi-miui.gr/feed
